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      特蘭斯科晶振,TSM53晶振,TSM53-H50HM33ST-16.000M-TR晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):93707676
    • 頻率:312KHZ~60MHZ,25KHZ~165MHZ,25KHZ~220MHZ,
    • 尺寸:5.0*3.2mm
    • 產(chǎn)品介紹:特蘭斯科晶振,TSM53晶振,TSM53-H50HM33ST-16.000M-TR晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源...
    • RoHS RoHS2


        特蘭斯科晶振,TSM53晶振,TSM53-H50HM33ST-16.000M-TR晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
        讓我們與眾不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能夠在72小時(shí)內(nèi)提供產(chǎn)品,高度積極的銷售人員為您的頻率控制要求提供優(yōu)異的定價(jià)和解決方案。通過結(jié)合杰出員工的知識(shí)和廣泛背景,能夠解決和定制您的特定項(xiàng)目或設(shè)計(jì)需求。Transko團(tuán)隊(duì)導(dǎo)向的環(huán)境和高效的生產(chǎn)人員不斷讓我們的客戶滿意,并使我們能夠提供最好的支持。
        Transko晶振宣布推出適用于基站,無線回程和核心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用的新系列高穩(wěn)定性TCXO TX-P系列。提供CMOS和削波正弦波輸出,在-10°C至60°C的工作溫度范圍內(nèi)具有±0.05ppm的頻率穩(wěn)定性,在-10°C至70°C范圍內(nèi)具有±0.1ppm的頻率穩(wěn)定度,這些器件還具有可選的電壓調(diào)整范圍線性10%時(shí)為±5ppm。此外,由于TX-P系列在100Hz失調(diào)時(shí)可以達(dá)到-130 dBc / Hz,而在26MHz CMOS輸出時(shí)可以達(dá)到-145 dBc / Hz @ 1KHz失調(diào),因此相位噪聲性能非常出色。成本比OCXO更合理.
        Transko晶振成立于1992年,總部位于加州福尼亞州阿納海姆,主要生產(chǎn)Transko貼片晶振,石英晶體,OSC差分晶振,VCXO壓控晶振等頻率元件.美國Transko石英晶振發(fā)展至今仍不斷改進(jìn),并致力于向廣大用戶提供優(yōu)質(zhì)的晶振產(chǎn)品.特蘭斯科晶振,TSM53晶振,TSM53-H50HM33ST-16.000M-TR晶振.

    FREQUENCY RANGE 312kHz ~ 60MHz  25kHz ~ 165MHz  25kHz ~ 220MHz 25kHz ~ 220MHz
    FREQUENCY STABILITY  ±10ppm ~ ±100ppm
    OPERATING TEMPERATURE RANGE  STD: 0°C ~ 70°C, Option: -40°C ~ 85°C (See P/N guide for other options)
    STORAGE TEMPERATURE RANGE -55°C ~ 125°C
    SUPPLY VOLTAGE ±10% 1.0V DC  1.8V DC 2.5~3.3V DC 5.0V DC
    SUPPLY CURRENT  4mA max. 25mA max.  40mA max. 35mA max. 
    OUTPUT LOGIC FAMILY HCMOS, TTL, CMOS/TTL
    LOAD 15pF typ. (30pF, 50pF available)
    LEVEL LOGIC ‘1’ (V OH ) HCMOS: 0.9 x V DD min. TTL: 2.4V DC min.
    LEVEL LOGIC ‘0’ (V OL ) HCMOS: 0.1 x V DD max. TTL: 0.4V DC max.
    SYMMETRY(DUTY CYCLE) 40% / 60% @ 1/2V DD level, Option: 45% / 55%
    RISE AND FALL TIME (Tr/Tf) 1.0nS typ. , 8.0nS max.
    START-UP TIME 10mS max.
    STAND-BY
    VOLTAGE
    ENABLE (V IH ) 0.7 x V DD ≤ V IH ≤ V DD or N/C
    DISABLE (V IL ) V IL ≤ 0.3 x V DD 
    ENABLE / DISABLE DELAY TIME 10mS max.
    AGING @ +25°C ±3°C ±3.0ppm / 1 st year max.
    PHASE JITTER (12kHz ~ 20MHz)  1.0pS max.


    自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:
      石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
    每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
    陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
      在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
    陶瓷包裝石英晶振
      在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。特蘭斯科晶振,TSM53晶振,TSM53-H50HM33ST-16.000M-TR晶振.


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