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首頁進口晶振Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

產品型號：8424719
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
產品介紹：32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應用在時鐘控制產品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產品.

Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振,32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應用在時鐘控制產品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產品.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內。

高利奇晶振規格	單位	CM8V晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明,請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.gsepg.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF ～ ∞	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率。
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容。Golledge晶振,貼片晶振,CM8V晶振

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