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  • 首頁進口晶振Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振

      Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振

    • 產(chǎn)品型號:60278586
    • 頻率:16MHZ~250MHZ
    • 尺寸:3.2*1.5mm
    • 產(chǎn)品介紹:貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐...
    • RoHS RoHS2

      Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
      石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

    Statek晶振規(guī)格 單位 CX11L貼片晶振頻率范圍 石英晶振基本條件
    標準頻率 f_nom 16.00MHZ~250.0MHZ 標準頻率
    儲存溫度 T_stg -40°C ~ +125°C 裸存
    工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C 標準溫度
    激勵功率 DL 200μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
    頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標準),
    (±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
    +25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://www.gsepg.com
    頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
    負載電容 CL 8pF ,10PF,12PF,20PF 不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
    串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
    頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年



    自動安裝時的沖擊:
      石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
    每個封裝類型的注意事項
    陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
      在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
    陶瓷包裝石英晶振
      在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。Statek晶振,貼片晶振,CX11L晶振

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