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首頁進口晶振SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

產品型號：68125292
頻率：115.2~137MHZ
尺寸：2.0*1.6/2.5*2.0/3.2*2.5/5.0*3.2/7.0*5.0mm
產品介紹：由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.

SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振,由于SiTime石英晶體振蕩器的體積相較于普通石英晶振,石英晶體要大,頻率范圍較廣,晶體振蕩器電源電壓更多選擇,性能佳,相位噪音較低.
與普通石英晶振,石英晶體,石英晶體振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設備針對特定的參數進行了優化,因此無法提供基于內存的解決方案提供的組合性能和特性.

SiTime晶振規格	單位	siTime貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	115.2~137MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.gsepg.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

SiTime晶振所有產品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。SiTime晶振,有源晶振,SiT8925B晶振

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