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首頁進口晶振維管晶振,石英晶振,XR-R(HC35)晶振

維管晶振,石英晶振,XR-R(HC35)晶振

產品型號：48383148
頻率：7~225MHZ
尺寸：6.73*5.84mm
產品介紹：因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

維管晶振,石英晶振,XR-R(HC35)晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規電器數碼產品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

Vectron晶振規格	單位	XR-R(HC35)晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	2.2MHZ~225MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明,請聯系我們以便獲取相關的息, http://www.gsepg.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率。
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容。維管晶振,石英晶振,XR-R(HC35)晶振

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