晶振在壓電晶體行業中只是一個產品大類的產品簡稱關鍵詞,主要名稱有以下幾種：
1:壓電石英晶體諧振器,接下就無源石英晶體,石英晶振,晶振.
 
2:壓電石英晶體振蕩器,但是石英晶體振蕩器有分有源晶振,相對來說有源晶振就有分好多種的類別了,比如鐘振,壓控振蕩器（VCXO）,溫補振蕩器（TCXO）,或者是(VC-TCXO）壓控溫補振蕩器,恒溫晶振等相關名詞.
     石英晶振與陶瓷晶振都有分為槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振蕩器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。

影響振蕩器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶壓控振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。最常用的兩種類型是溫補晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩晶振體的精度要比分立RC振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振器槽路相當的精度。
選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立石英振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環境需求。康比電子在質量中求生存,以創新謀發展,公司成功在2010年研發微孔霧化片,并且成功出樣，現已批量生產，此微孔霧化片比原始的陶瓷霧化片最大的差別是電壓大大的減少，啟動功率也變小，在電腦周邊5V的電壓就可以工作，這給現代電腦周邊的數碼產品提供了新的起點，康比公司在今后的日子里會努力的為廣大客戶提供創新與發展，愿能給更多客戶帶來便利。